基片上AAO模板

图1. 硅片上原位制备AAO模板：（左）2英寸，（右）4英寸。

   使用高纯铝片通过制备AAO模板具有均匀性好、可操作性强等优点,但是从高纯铝片制备的AAO模板很难与半导体工艺相兼容,不容易获得更加精密可控的微结构以及微器件,而且通过铝片制备的超薄AAO模板转移至基片上以后容易形成褶皱,并且吸附力不强,局部区域可能存在脱离现象。为了弥补以上缺点,近年来在基片上原位生长AAO得到了快速的发展。其基本原理是现在基片上蒸镀金属铝,然后进行AAO制备,称为基片上AAO模板（AAO on substrate）。

    我们推出的一种硅上AAO产品，如图1所示。有两种标准大小的硅片，2英寸和4英寸硅片。目前孔径可以从30nm调节到70nm（典型孔径为30nm，40nm，60nm，70nm），膜厚约为500nm。如图2所示。由于硅片上蒸镀铝的厚度不可能太厚，因此，相对于较厚的铝片制备的AAO，其孔排列和孔径均匀性比较差，不过由于是原位蒸镀和生长，AAO与硅片的结合力非常高，AAO表面无褶皱和宏观起伏现象。目前硅片表面的AAO孔底部仍有阻挡层。无阻挡层的通孔产品即将推出，敬请期待。